Impact of NBTI on EMC behaviours of CMOS inverter

Consultar RECERCAT

Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/7391

Títol:	Impact of NBTI on EMC behaviours of CMOS inverter
Autor/a:	Fernández García, Raúl; Berbel Artal, Néstor; Gil Galí, Ignacio; Morata Cariñena, Marta
Altres autors:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Terrassa Industrial Electronics Group; Universitat Politècnica de Catalunya. SEPIC - Sistemes Electrònics de Potència i de Control
Abstract:	In this paper the Electromagnetic Robustness (EMR) of a CMOS inverter has been analyzed when the pFETs are submitted to negative bias temperature instability (NBTI). The impact of pFET and CMOS inverter has been experimentally quantified and the switching noise and electromagnetic susceptibility has been analyzed by means of simulation. The results show that NBTI reduces the switching noise whereas the EMI susceptibility is not modified.
Matèries:	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica -Metal oxide semiconductors, Complementary -Electromagnetic interference -Interferència electromàgnetica
Drets:
Tipus de document:	Article - Versió publicada Objecte de conferència
Compartir:

Morata Cariñena, Marta; Gil Galí, Ignacio; Fernández García, Raúl

Morata Cariñena, Marta; Gil Galí, Ignacio; Fernández García, Raúl

Gil Galí, Ignacio; Morata Cariñena, Marta; Fernández García, Raúl; Rottenberg, Xavier; De Raedt, Walter

Morata Cariñena, Marta; Gil Galí, Ignacio; Fernández García, Raúl

Fernández García, Raúl; Ruiz, José María; Gil Galí, Ignacio; Morata Cariñena, Marta

Coordinació

Patrocini