Título:
|
TRAMS Project: variability and reliability of SRAM memories in sub-22nm bulk-CMOS technologies
|
Autor/a:
|
Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio; ASenov, Asen; Brown, Andrew; Miranda, Miguel; Zuber, Paul; González Colás, Antonio María; Vera Rivera, Francisco Javier
|
Otros autores:
|
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Arquitectura de Computadors; Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions; Universitat Politècnica de Catalunya. ARCO - Microarquitectura i Compiladors |
Abstract:
|
The TRAMS (Terascale Reliable Adaptive MEMORY Systems) project addresses in an evolutionary way the ultimate CMOS scaling technologies and paves the way for revolutionary, most promising beyond-CMOS technologies. In this abstract we show the significant variability levels of future 18 and 13 nm device bulk-CMOS technologies as well as its dramatic effect on the yield of memory cells and circuits. |
Abstract:
|
Peer Reviewed |
Materia(s):
|
-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica::Circuits integrats -Nanotechnology -Electrònica -Circuits integrats |
Derechos:
|
|
Tipo de documento:
|
Artículo - Versión publicada Artículo |
Editor:
|
Elsevier
|
Compartir:
|
|