Alloy inhomogeneities in InAlAs strained layers grown by MBE

Inici | Què és? | Contacte

English | Castellano

Consultar RECERCAT

Per comunitats i
col·leccions Per data Per autors Per títols Per matèries

Consultar col·lecció

Per data Per autors Per títols Per matèries

Estadístiques

Del document Tot RECERCAT

El meu RECERCAT

Entrar Alertes per correu-e

Directori d’altres repositoris

Pàgina inicial del RECERCAT > Universitat de Barcelona > Enginyeria Electrònica i Biomèdica > Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica) > Visualitza document

Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2445/32219

Títol:	Alloy inhomogeneities in InAlAs strained layers grown by MBE
Autor/a:	Peiró Martínez, Francisca; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Clark, S. A.; Williams, R. H.
Altres autors:	Universitat de Barcelona
Abstract:	Transmission electron microscopy studies have been performed to characterize InxAl1−xAs layers grown by molecular beam epitaxy on (100) InP substrates. The first observations of compositional nonuniformities in strained InAlAs layers are reported. The coarse quasiperiodic structure present in each sample has been found to be dependent upon the growth parameters and the sample characteristics.
Matèries:	-Microscòpia electrònica -Pel·lícules fines -Feixos moleculars -Electron microscopy -Thin films -Molecular beams
Drets:	(c) American Institute of Physics , 1992
Tipus de document:	Article Article - Versió publicada
Publicat per:	American Institute of Physics
Compartir:

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Fine speckle contrast in InGaAs/InP systems: Influence of layer thickness, missmatch, and growing temperature

Peiró Martínez, Francisca; Cornet i Calveras, Albert; Herms Berenguer, Atilà; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Clark, S. A.; Williams, R. H.

Analysis by optical absorption and transmission electron microscopy of the strain inhomogeneities in InGaAs/InP strained layers

Roura Grabulosa, Pere; Clark, S. A.; Bosch Estrada, José; Peiró Martínez, Francisca; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon

Strain, alloy composition, and lattice relaxation measured by optical-absorption spectroscopy

Clark, S. A.; Roura Grabulosa, Pere; Bosch Estrada, José; Pérez Rodríguez, Alejandro; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Westwood, David I.; Williams, R. H.

Partial and perfect dislocation nucleation at the onset of stress relaxation in In0.60Ga0.40As active layers of high mobility transistors grown on InP

Peiró Martínez, Francisca; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon

Caracterización estructural de capas epitaxiadas de InGaAs/InAlAs crecidas sobre substratos (111) de InP

Vilà i Arbonès, Anna Maria; Peiró Martínez, Francisca; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon

Accessibilitat | Avís legal | Política de Cookies | Documents d'ús intern

Coordinació

Patrocini