Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/19931
Título: | Comparison of SRAM cells for 10-nm SOI FinFETs under process and environmental variations |
---|---|
Autor/a: | Jaksic, Zoran; Canal Corretger, Ramon |
Otros autores: | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Arquitectura de Computadors; Universitat Politècnica de Catalunya. ARCO - Microarquitectura i Compiladors |
Abstract: | |
Abstract: | |
Materia(s): | -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics::Transistors -Àrees temàtiques de la UPC::Informàtica::Hardware -Semiconductor storage devices -6T cell -8T cell -FinFET -leakage -process variation -SRAM -Ordinadors -- Memòries semiconductores |
Derechos: | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
Tipo de documento: | Artículo - Versión publicada Artículo |
Compartir: |