Pàgina inicial del RECERCAT
>
Universitat Politècnica de Catalunya
>
Documents de recerca
>
Visualitza document
Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/21907
| Títol: | Impact of finfet and III-V/Ge technology on logic and memory cell behavior |
|---|---|
| Autor/a: | Amat Bertran, Esteve; Calomarde Palomino, Antonio; García Almudéver, Carmen; Aymerich Capdevila, Nivard; Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio |
| Altres autors: | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Arquitectura de Computadors; Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions; Universitat Politècnica de Catalunya. ARCO - Microarquitectura i Compiladors |
| Abstract: | |
| Abstract: | |
| Matèries: | -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica::Circuits integrats -Integrated circuits -DRAM -III–V semiconductor materials -Integrated circuit reliability -Ring oscillators -Circuits integrats |
| Drets: | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
| Tipus de document: | Article - Versió publicada Article |
| Compartir: |
|
Documents relacionats
Altres documents del mateix autor/a
Amat Bertran, Esteve; García Almudéver, Carmen; Aymerich Capdevila, Nivard; Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio
Amat Bertran, Esteve; Calomarde Palomino, Antonio; Almudever, Carmen G.; Aymerich Capdevila, Nivard; Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio
Amat Bertran, Esteve; Amatlle, E.; Gómez González, Sergio; Aymerich Capdevila, Nivard; García Almudéver, Carmen; Moll Echeto, Francisco de Borja; Rubio Sola, Jose Antonio
Amat Bertran, Esteve; García Almudéver, Carmen; Aymerich, N.; Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio
Amat Bertran, Esteve; Calomarde Palomino, Antonio; Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio