A compact noise model for carbon nanotube FETs

Inici | Què és? | Contacte

English | Castellano

Consultar RECERCAT

Per comunitats i
col·leccions Per data Per autors Per títols Per matèries

Consultar col·lecció

Per data Per autors Per títols Per matèries

Estadístiques

Del document Tot RECERCAT

El meu RECERCAT

Entrar Alertes per correu-e

Directori d’altres repositoris

Pàgina inicial del RECERCAT > Universitat Politècnica de Catalunya > Documents de recerca > Visualitza document

Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/22161

Títol:	A compact noise model for carbon nanotube FETs
Autor/a:	Landauer, Gerhard Martin; González Jiménez, José Luis
Altres autors:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions
Abstract:	This paper focuses on the development of a compact noise model for radiofrequency (RF) carbon nanotube field-effect transistors (CNFET). The noise mechanisms in these devices are discussed and the impact of the different noise sources is analyzed. For the RF-CNFET under investigation a mínimum noise figure NFmin = 0.104 dB at 60 GHz is predicted. Our model is usable with conventional circuit simulators, which provides a basis for further investigations on CNFET-based RF Building blocks.
Abstract:	Peer Reviewed
Matèries:	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria civil::Materials i estructures -Nanotubes -Nanostructured materials -Carbon nanotube -Field-effect transistor -Noise modeling -Radio frequency -Analog -Nanotubs -Materials nanoestructurats
Drets:	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
Tipus de document:	Article - Versió publicada Objecte de conferència
Publicat per:	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Compartir:

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Carbon nanotube FET process variability and noise model for radiofrequency investigations

Landauer, Gerhard Martin; González Jiménez, José Luis

An accurate and Verilog-A compatible compact model for graphene field-effect transistors

Landauer, Gerhard Martin; González Jiménez, José Luis; Jiménez Jiménez, David

Radio-Frequency Performance of Carbon Nanotube-Based Devices and Circuits Considering Noise and Process Variation

Landauer, Gerhard Martin; Gonzalez Jimenez, Jose Luis

A 75 pJ/bit All-Digital Quadrature Coherent IR-UWB Transceiver in 0.18 um CMOS

Barajas Ojeda, Enrique; Gómez Salinas, Dídac; Mateo Peña, Diego; González Jiménez, José Luis

On evaluating temperature as observable for CMOS technology variability

Altet Sanahujes, Josep; Gómez Salinas, Dídac; Dufis, Cédric Yvan; González Jiménez, José Luis; Mateo Peña, Diego; Aragonès Cervera, Xavier; Moll Echeto, Francisco de Borja; Rubio Sola, Jose Antonio

Accessibilitat | Avís legal | Política de Cookies | Documents d'ús intern

Coordinació

Patrocini