Modelado físico de transistores MESFET y HEMT

All of RECERCAT

To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/87997

Title:	Modelado físico de transistores MESFET y HEMT
Author:	Lázaro, A; Pradell i Cara, Lluís; Torres Torres, Francisco
Other authors:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones; Universitat Politècnica de Catalunya. RSLAB - Grup de Recerca en Teledetecció
Abstract:	Models are developed for the de I-V curves and microwave small-signal parameters of the GaAs MESFET and HEMT. In the first step, the concept of a local small-signal equivalent circuit is introduced. In the second step, a formulation of the
Abstract:	Peer Reviewed
Subject(s):	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació -Microwaves -Transistors -Microones -Transistors
Rights:	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
Document type:	Article - Published version Conference Object
Share: