|
Title:
|
Optical control of thermal diffusion in phase change materials;
Control óptico de la difusión térmica en materiales de cambio de fase
|
|
Author:
|
Pérez Salinas, Daniel
|
|
Other authors:
|
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Wall, Simon Elliot |
|
Abstract:
|
En col·laboració amb la Universitat de Barcelona (UB), la Universitat Autònoma de Barcelona (UAB) i l’Institut de Ciències Fotòniques (ICFO) |
|
Abstract:
|
The long term crystallization of amorphous Ge2Sb2Te5 (GST) induced by femtosecond laser pulses has been numerically and experimentally studied. Simulations of the evolution of temperature and crystalline fraction after a single laser pulse in a 100nm layer of GST were done for the normal and lateral directions for different layer stacks and beam profiles. The effect of lateral thermal diffusion was determined to be negligible as a result of normal diffusion and the crystallization requirements limiting the phase change dynamics to a maximum of 2 ns after thermalization. Experimental confirmation was achieved by correlating the top-hat beam profile of the pulses with the crystalline mark induced in the GST. |
|
Abstract:
|
La cristalización a largo plazo de Ge2Sb2Te5 (GST) amorfo inducida mediante pulsos laser de femtosegundos ha sido numérica y experimentalmente estudiada. Simulaciones de la evolución de la temperatura y fracción cristalina tras la introducción de un único pulso laser en una capa de GST de 100nm de grosor se han llevado a cabo para las direcciones normal y lateral para distintos estructuras de capas y perfiles de haz láser. El efecto de la difusión térmica lateral ha sido determinado como despreciable debido a la difusión en la dirección normal y los requerimientos para la cristalización limitando la dinámica de cambio de fase a un máximo de 2ns tras la termalización. Se ha obtenido confirmación experimental mediante la correlación del perfil de pulsos top-hat con la marca cristalina inducida en el GST. |
|
Abstract:
|
La cristal·lització a llarg termini de Ge2Sb2Te5 (GST) amorf induïda mitjançant polsos làser de femto segons ha sigut numèrica i experimentalment estudiada. Simulacions de la evolució de la temperatura i la fracció cristal·lina després de la introducció d’un únic pols làser en una capa de GST de 100nm de gruix s’han dut a terme per a les direccions normal i lateral per a diferents estructures de capes i perfils del feix làser. L’efecte de la difusió tèrmica lateral ha sigut determinat com a menyspreable debut a la difusió en la direcció normal i els requeriments per a la cristal·lització limitant la dinàmica de canvi de fase a un màxim de 2ns desprès de la termalització. S’ha obtingut confirmació experimental mitjançant la correlació del perfil de polsos top-hat amb la marca cristal·lina induïda al GST. |
|
Subject(s):
|
-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica::Fotònica
-Energy storage
-Materials -- Thermal properties
-Phase change materials
-thermal diffusion
-GST
-femtosecond
-Material cambio fase
-difusión térmica
-femtosegundo
-Energia -- Emmagatzematge
-Materials -- Propietats tèrmiques |
|
Rights:
|
S'autoritza la difusió de l'obra mitjançant la llicència Creative Commons o similar 'Reconeixement-NoComercial- SenseObraDerivada'
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
|
Document type:
|
Research/Master Thesis |
|
Published by:
|
Universitat Politècnica de Catalunya
|
|
Share:
|
|
