To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/113578
Title: | Suitability of FinFET introduction into eDRAM cells for operate at sub-threshold level |
---|---|
Author: | Amat, Esteve; Calomarde Palomino, Antonio; Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio |
Other authors: | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria de Sistemes, Automàtica i Informàtica Industrial; Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Arquitectura de Computadors; Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions; Universitat Politècnica de Catalunya. ARCO - Microarquitectura i Compiladors |
Abstract: | |
Abstract: | |
Subject(s): | -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica -Electronics -FinFET -eDRAM -sub-VT -single event upsets -variability -reliability. -Enginyeria electrònica |
Rights: | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
Document type: | Article - Submitted version Conference Object |
Published by: | Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) |
Share: |