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Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/10256/3049

Título:	Atomic diffusion induced by stress relaxation in InGaAs/GaAs epitaxial layers
Autor/a:	Roura Grabulosa, Pere; Vilà Arbonés, Anna; Bosch, J.; López-de Miguel, Manel; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan R.; Westwood, D. I.
Abstract:	The origin of the microscopic inhomogeneities in InxGa1-xAs layers grown on GaAs by molecular beam epitaxy is analyzed through the optical absorption spectra near the band gap. It is seen that, for relaxed thick layers of about 2.8μm, composition inhomogeneities are responsible for the band edge smoothing into the whole compositional range (0.05
Materia(s):	-Gal·li -Compostos d'indi -Espectres d'absorció -Semiconductors -Absorption spectra -Gallium -Indium compounds
Derechos:	Tots els drets reservats
Tipo de documento:	Artículo
Editor:	American Institute of Physics
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