To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/14375
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Terrassa Industrial Electronics Group |
dc.contributor.author | Fernández García, Raúl |
dc.contributor.author | Gil Galí, Ignacio |
dc.contributor.author | Boyer, A. |
dc.contributor.author | BenDhia, S. |
dc.contributor.author | Vrignon, Bertrand |
dc.date | 2011-12-12 |
dc.identifier.citation | Fernandez, R. [et al.]. A new approach to modelling the impact of EMI on MOSFET DC behavior. "IEICE transactions on electronics", 12 Desembre 2011, vol. E94-C, núm. 12, p. 1906-1908. |
dc.identifier.citation | 0916-8524 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/14375 |
dc.language.iso | eng |
dc.relation | http://search.ieice.org/bin/summary.php?id=e94-c_12_1906&category=C&year=2011&lang=E&abst= |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Electrònica de potència |
dc.subject | Electromagnetic compatibility |
dc.subject | Compatibilitat electromagnètica |
dc.title | A new approach to modelling the impact of EMI on MOSFET DC behavior |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract | |
dc.description.abstract |