To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/14597
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat |
dc.contributor.author | Rodríguez Montañés, Rosa |
dc.contributor.author | Arumi Delgado, Daniel |
dc.contributor.author | Figueras Pàmies, Joan |
dc.contributor.author | Castillo Muñoz, Raul |
dc.date | 2011 |
dc.identifier.citation | Rodríguez-Montañés, R. [et al.]. 8T SRAM Cell with Open Defects under Voltage and Timing Variations. A: Conference on Design of Circuits and Integrated Systems. "DCIS 2011". Albufeira: 2011, p. 155-160. |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/14597 |
dc.language.iso | eng |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica |
dc.subject | Memòria ràpida de treball (Informàtica) |
dc.title | 8T SRAM Cell with Open Defects under Voltage and Timing Variations |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/conferenceObject |