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dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
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dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Terrassa Industrial Electronics Group |
dc.contributor.author | Fernández García, Raúl |
dc.contributor.author | Kaczer, Ben |
dc.contributor.author | Gago Barrio, Javier |
dc.contributor.author | Rodríguez, Rosana |
dc.contributor.author | Nafría Maqueda, Montserrat |
dc.date | 2009-02 |
dc.identifier.citation | Fernandez, R. [et al.]. Experimental Characterization of NBTI Effect on pMOSFET and CMOS Inverter. A: Conference on Electron Devices. "7th Spanish conference on Electron Devices (CDE 2009)". Santiago de Compostela: 2009. |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/6216 |
dc.language.iso | eng |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica |
dc.subject | Electronic apparatus and appliances |
dc.subject | Electrònica--Aparells i instruments |
dc.title | Experimental Characterization of NBTI Effect on pMOSFET and CMOS Inverter |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/conferenceObject |
dc.description.abstract |