To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/20392
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions |
dc.contributor.author | Amat Bertran, Esteve |
dc.contributor.author | Amatlle, E. |
dc.contributor.author | Gómez González, Sergio |
dc.contributor.author | Aymerich Capdevila, Nivard |
dc.contributor.author | García Almudéver, Carmen |
dc.contributor.author | Moll Echeto, Francisco de Borja |
dc.contributor.author | Rubio Sola, Jose Antonio |
dc.date | 2013-09 |
dc.identifier.citation | Amat, E. [et al.]. Systematic and random variability analysis of two different 6T-SRAM layout topologies. "Microelectronics journal", Setembre 2013, vol. 44, núm. 9, p. 787-793. |
dc.identifier.citation | 0026-2692 |
dc.identifier.citation | 10.1016/j.mejo.2013.06.010 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/20392 |
dc.language.iso | eng |
dc.relation | info:eu-repo/grantAgreement/EC/FP7/248789/EU/TERASCALE RELIABLE ADAPTIVE MEMORY SYSTEMS/TRAMS |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Informàtica |
dc.subject | Computer storage devices |
dc.subject | Memory management (Computer science) |
dc.subject | 6T-SRAM |
dc.subject | Degradation |
dc.subject | Regular layout |
dc.subject | Variability |
dc.subject | Memòries digitals |
dc.subject | Ordinadors -- Dispositius de memòria |
dc.subject | Gestió de memòria (Informàtica) |
dc.title | Systematic and random variability analysis of two different 6T-SRAM layout topologies |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |