Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/24147

Characterization and modeling of the conducted emission of integrated circuits up to 3 GHz
Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Terrassa Industrial Electronics Group
-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Circuits electrònics
-Integrated circuits
-Electromagnetic compatibility
-Microwave integrated circuits
-Impedance (Electricity)
-Conducted emissions
-electromagnetic compatibility (EMC)
-feature selective validation (FSV)
-integrated circuit (IC)
-IC emission model (ICEM-CE)
-internal activity (IA)
-computational electromagnetics CEM
-selective validation FSV
-Circuits integrats
-Compatibilitat electromagnètica
-Circuits integrats de microones
-Impedància (Electricitat)
Article - Versió publicada
Article
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio
Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio; Li, Binhong; BenDhia, S.; Boyer, A.
Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio
Pérez Robles, Daniel; Gil Galí, Ignacio; Gago Barrio, Javier; Fernández García, Raúl; Balcells Sendra, Josep; González Díez, David; Berbel Artal, Néstor; Mon González, Juan
Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio