Variación de la frecuencia de trabajo en un cristal fotónico basado en silicio macroporoso al variar la longitud del defecto

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dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
dc.contributor.author	Cardador, D.
dc.contributor.author	Vega Bru, Didac
dc.contributor.author	Rodríguez Martínez, Ángel
dc.date	2015
dc.identifier.citation	Cardador, D., Vega, D., Rodriguez, A. Variación de la frecuencia de trabajo en un cristal fotónico basado en silicio macroporoso al variar la longitud del defecto. A: Workshop en Microsistemas y Nanotecnología y Asamblea Anual de IBERNAM. "IBERNAM 2015- Encuentro Anual IberNAM: “Empresas de Base Tecnológica en Micro-Nanosistemas: experiencias y oportunidades de colaboración” Zaragoza, 10-11 Diciembre 2015 Salón de Actos. Edificio I+D+i. Campus Río Ebro. Universidad de Zaragoza.". Zaragoza: 2015, p. 1-2.
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2117/84495
dc.language.iso	spa
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica::Fotònica
dc.subject	Photonics
dc.subject	Cristal fotónico
dc.subject	Silicio macroporoso
dc.subject	Defecto
dc.subject	Banda prohibida
dc.subject	Fotònica
dc.title	Variación de la frecuencia de trabajo en un cristal fotónico basado en silicio macroporoso al variar la longitud del defecto
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	info:eu-repo/semantics/conferenceObject
dc.description.abstract	En este trabajo se ha estudiado la relación existente entre la frecuencia de trabajo de un cristal fotónico con defecto y el tamaño de dicho defecto. Las simulaciones indican una dependencia lineal entre ambas, a la vez que se mantiene el factor de calidad de los picos a lo largo de la banda prohibida
dc.description.abstract	Peer Reviewed

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