Tunnel FET device characteristics for RF energy harvesting passive rectifiers

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RECERCAT Principal > Universitat Politècnica de Catalunya > Documents de recerca > Visualizar documento

Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/85309

dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions
dc.contributor.author	Nunes Cavalheiro, David Manuel
dc.contributor.author	Moll Echeto, Francisco de Borja
dc.date	2015-06
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2117/85309
dc.language.iso	eng
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
dc.subject	Electric engineering
dc.subject	Enginyeria electrònica -- Aparells i accessoris
dc.subject	Metall-òxid-semiconductors
dc.subject	Transistors
dc.title	Tunnel FET device characteristics for RF energy harvesting passive rectifiers
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	info:eu-repo/semantics/conferenceObject
dc.description.abstract	The lack of high power conversion efficiency in RF passive rectifier circuits at sub-µW power levels with current MOSFET technologies is directly related with the difficulty of the transistors in conducting the required level of current at low voltage values. With a different carrier injection mechanism, the superior electrical characteristics of the Tunnel FET devices at low voltage values (sub-0.25 V) can outperform the process of energy conversion at ultra-low power, thus improving the operation range of RF energy harvesting circuits. In this work, a simulation study on the doping profile and material selection of Tunnel FET devices shows the impact of device properties in rectifier circuit efficiency.

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