Simulation of STEM-HAADF image contrast of Ruddlesden-Popper faulted LaNiO3 thin films

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Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2445/124987

Título:	Simulation of STEM-HAADF image contrast of Ruddlesden-Popper faulted LaNiO₃ thin films
Autor/a:	Coll Benejam, Catalina; López Conesa, Lluís; Rebled, J. M. (José Manuel); Magén, César; Sánchez Barrera, Florencio; Fontcuberta i Griñó, Josep; Estradé Albiol, Sònia; Peiró Martínez, Francisca
Otros autores:	Universitat de Barcelona
Abstract:	LaNiO3 (LNO) thin films are widely used as electrode materials. Yet, their properties greatly depend on such parameters as strain state and defect density. In this work we present a detailed structural characterization of epitaxial LNO thin films grown on LaAlO3(001). Based on scanning transmission electron microscope - high-angle annular darkfield imaging (STEM-HAADF) contrast analysis and image simulations, Ruddlesden-Popper faulted configurations, with 1/2a<111> relative displacement of defect free perovskite blocks, are atomically modeled and simulated to disentangle the variation of Z-contrast in the experimental images
Materia(s):	-Pel·lícules fines -Thin films
Derechos:	(c) American Chemical Society , 2017
Tipo de documento:	Artículo Artículo - Versión aceptada
Editor:	American Chemical Society
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