To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/122302
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria de Sistemes, Automàtica i Informàtica Industrial |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Arquitectura de Computadors |
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions |
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. VIRTUOS - Virtualisation and Operating Systems |
dc.contributor.author | Amat, Esteve |
dc.contributor.author | Calomarde Palomino, Antonio |
dc.contributor.author | Canal Corretger, Ramon |
dc.contributor.author | Rubio Sola, Jose Antonio |
dc.date | 2018-06-01 |
dc.identifier.citation | Amat, E., Calomarde, A., Canal, R., Rubio, A. Optimization of FinFET-based gain cells for low power sub-vt embedded drams. "Journal of low power electronics", 1 Juny 2018, vol. 14, núm. 2, p. 236-243. |
dc.identifier.citation | 1546-1998 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/122302 |
dc.language.iso | eng |
dc.relation | http://www.ingentaconnect.com/content/asp/jolpe/2018/00000014/00000002/art00007;jsessionid=71piba2tmqjc4.x-ic-live-02 |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Electrònica de potència |
dc.subject | Power electronics |
dc.subject | SRAM |
dc.subject | DRAM |
dc.subject | gain-cells |
dc.subject | FinFET |
dc.subject | Electrònica de potència |
dc.title | Optimization of FinFET-based gain cells for low power sub-vt embedded drams |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract | |
dc.description.abstract |