To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/79102
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Elèctrica |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. CITCEA - Centre d'Innovació Tecnològica en Convertidors Estàtics i Accionaments |
dc.contributor.author | Lledó Ponsati, Tomàs |
dc.contributor.author | Montesinos Miracle, Daniel |
dc.date | 2015-06-01 |
dc.identifier.citation | Lledó-Ponsati, T., Montesinos-Miracle, D. Semiconductores de banda de prohibición ancha. "Automática e instrumentación", 01 Juny 2015, núm. 473, p. 38-43. |
dc.identifier.citation | 0213-3113 |
dc.identifier.citation | b-23.106-1968 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/79102 |
dc.language.iso | spa |
dc.publisher | Grupo Tecnipublicaciones |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Electrònica de potència |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria dels materials::Materials funcionals |
dc.subject | Power electronics |
dc.subject | Power semiconductors |
dc.subject | Wide gap semiconductors |
dc.subject | Electrònica de potència |
dc.subject | Semiconductors de potència |
dc.subject | Semiconductors de gap ample |
dc.title | Semiconductores de banda de prohibición ancha |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract |