Composition modulation and inhomogeneous strain field in InxGa1-xAs/InP strained layers

Inici | Què és? | Contacte

English | Castellano

Consultar RECERCAT

Per comunitats i
col·leccions Per data Per autors Per títols Per matèries

Consultar col·lecció

Per data Per autors Per títols Per matèries

Estadístiques

Del document Tot RECERCAT

El meu RECERCAT

Entrar Alertes per correu-e

Directori d’altres repositoris

Pàgina inicial del RECERCAT > Universitat de Barcelona > Enginyeria Electrònica i Biomèdica > Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica) > Visualitza document

Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2445/9848

dc.contributor	Universitat de Barcelona
dc.contributor.author	Roura Grabulosa, Pere
dc.contributor.author	Bosch Estrada, José
dc.contributor.author	Morante i Lleonart, Joan Ramon
dc.date	2009-10-28T09:30:21Z
dc.date	2009-10-28T09:30:21Z
dc.date	1992
dc.identifier.citation	0163-1829
dc.identifier.citation	71200
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2445/9848
dc.format	4 p.
dc.format	application/pdf
dc.language.iso	eng
dc.publisher	The American Physical Society
dc.relation	Reproducció digital del document publicat en format paper, proporcionada per PROLA i http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.46.10453
dc.relation	Physical Review B, 1992, vol. 46, núm. 16, p. 10453-10456.
dc.relation	http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.46.10453
dc.rights	(c) The American Physical Society, 1992
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	Electrònica de l'estat sòlid
dc.subject	Propietats òptiques
dc.subject	Luminescència
dc.subject	Semiconductors
dc.subject	Microscòpia electrònica de transmissió
dc.subject	Solid state electronics
dc.subject	Optical properties
dc.subject	Semiconductors
dc.subject	Transmission electron microscopy
dc.subject	Photoluminescence
dc.title	Composition modulation and inhomogeneous strain field in InxGa1-xAs/InP strained layers
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.description.abstract	Optical-absorption measurements have been carried out on tensile and compressive In x Ga 1 − x As/InP strained layers. It is shown that the energetic dispersion of the heavy-hole relative to the light-hole subband σ HH / σ LH is the key to knowing the origin of the microscopic inhomogeneities. So, σ HH / σ LH <1 indicates the existence of composition inhomogeneities whereas σ HH / σ LH =2.8 reveals an inhomogeneous strain field.

Mostra el registre simple del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Analysis by optical absorption and transmission electron microscopy of the strain inhomogeneities in InGaAs/InP strained layers

Roura Grabulosa, Pere; Clark, S. A.; Bosch Estrada, José; Peiró Martínez, Francisca; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon

Strain, alloy composition, and lattice relaxation measured by optical-absorption spectroscopy

Clark, S. A.; Roura Grabulosa, Pere; Bosch Estrada, José; Pérez Rodríguez, Alejandro; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Westwood, David I.; Williams, R. H.

Atomic diffusion induced by stress relaxation in InGaAs/GaAs epitaxial layers

Roura Grabulosa, Pere; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Bosch Estrada, José; López de Miguel, Manuel; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Westwood, David I.

Frequency resolved admittance spectroscopy measurements on In0.52Al0.48As/InxGa1¿xAs/In0.52Al0.48As single quantum well structures

Marsal Garví, Lluís F. (Lluís Francesc); López Villegas, José María; Bosch Estrada, José; Morante i Lleonart, Joan Ramon

Electron capture and emission by the Ti acceptor level in GaP

Roura Grabulosa, Pere; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Guillot, G.; Bremond, G.; Ulrici, W.

Accessibilitat | Avís legal | Política de Cookies | Documents d'ús intern

Coordinació

Patrocini