Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/20142
Título: | Ohmic contacts fabricated on moderately doped p-type GaAs by sputtering deposition and a laser-firing process |
---|---|
Autor/a: | Boronat Moreiro, Alfredo; Silvestre Bergés, Santiago; Orpella García, Alberto |
Otros autores: | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies |
Abstract: | |
Abstract: | |
Materia(s): | -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica::Fotònica -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica -Temperature measurements -Photonics -GaAs -ohmic contact -laser firing -Termometria -Fotònica |
Derechos: | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
Tipo de documento: | Artículo - Versión publicada Artículo |
Compartir: |