FinFET and III-V/Ge technology impact on 3T1D cell behavior

All of RECERCAT

To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/26567

Title:	FinFET and III-V/Ge technology impact on 3T1D cell behavior
Author:	Amat Bertran, Esteve; Calomarde Palomino, Antonio; Almudever, Carmen G.; Aymerich Capdevila, Nivard; Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio
Other authors:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria de Sistemes, Automàtica i Informàtica Industrial; Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Arquitectura de Computadors; Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions; Universitat Politècnica de Catalunya. ARCO - Microarquitectura i Compiladors
Abstract:	In this work, we assess the performance of a ring oscillator and a DRAM cell when they are implemented with different technologies (planar CMOS, FinFET and III-V MOSFETs), and subjected to different reliability scenarios (variability and soft errors). FinFET-based circuits show the highest robustness against variability and soft error environments.
Abstract:	Peer Reviewed
Subject(s):	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica -Electronic circuits -Circuits electrònics
Rights:	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
Document type:	Article - Published version Conference Object
Share: