Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/112407
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies |
dc.contributor.author | Orpella García, Alberto |
dc.contributor.author | Puigdollers i González, Joaquim |
dc.contributor.author | Bardés Llorensí, Daniel |
dc.contributor.author | Alcubilla González, Ramón |
dc.contributor.author | Marsal, L F |
dc.contributor.author | Pallarès Marzal, Josep |
dc.date | 2000-09 |
dc.identifier.citation | Orpella, A., Puigdollers, J., Bardes, D., Alcubilla, R., Marsal, L., Pallarès, J. Fabrication and characterization of in-situ doped a-Si0.8C0.2 emitter bipolar transistors. "Solid-state electronics", Setembre 2000, vol. 44, núm. 9, p. 1543-1548. |
dc.identifier.citation | 0038-1101 |
dc.identifier.citation | 10.1016/S0038-1101(00)00121-0 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/112407 |
dc.language.iso | eng |
dc.relation | https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110100001210 |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics::Transistors |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid |
dc.subject | Bipolar transistors |
dc.subject | Silicon |
dc.subject | Bipolar transistors |
dc.subject | Annealed amorphous silicon–carbon |
dc.subject | Transistors bipolars |
dc.subject | Silici |
dc.title | Fabrication and characterization of in-situ doped a-Si0.8C0.2 emitter bipolar transistors |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract | |
dc.description.abstract |