Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/130753
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies |
dc.contributor.author | Bardés Llorensí, Daniel |
dc.contributor.author | Alcubilla González, Ramón |
dc.date | 1997-08 |
dc.identifier.citation | Bardes, D.; Alcubilla, R. Analytical modelling of bjt neurtral base region under variable injection conditions. "Solid-state electronics", Agost 1997, vol. 41, núm. 8, p. 1177-1180. |
dc.identifier.citation | 0038-1101 |
dc.identifier.citation | 10.1016/S0038-1101(97)00052-X |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/130753 |
dc.language.iso | eng |
dc.relation | https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S003811019700052X |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics::Transistors |
dc.subject | Transistors |
dc.subject | Transistors |
dc.title | Analytical modelling of bjt neurtral base region under variable injection conditions |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract | |
dc.description.abstract |