Català: El present treball es desenvolupa entorn de la modelització d'un transistor bipolar de doble heterounió (DHBT). En concret, s'estudia un dispositiu Tipus-I basat en la utilització de materials semiconductors III-V com són el InP (fosfur d?indi) i InGaAs (aliatge ternari d'indi, gal-li i arseni). Per dur a terme totes les simulacions d'aquesta tesi, s'ha fet ús del simulador numèric ATLAS de la companyia SILVACO. Amb l'objectiu d'avaluar la bondat del model, es realitza una comparació amb valors experimentals i amb resultats de simulacions realitzades amb l'eina TCAD DESSIS de Synopsys del comportament en contínua del dispositiu. S'analitzen el models i paràmetres de transport i les propietats físiques del dispositiu estudiant i discutint els models disponibles a la literatura i la forma d'implementar-los al simulador. Finalment, es procedeix a analitzar el nivell d'influència de certs factors (paràmetres de transport com la movilitat de portadors o propietats físiques com per exemple el fenomen del band gap narrowing) sobre el comportament en contínua del dispositiu. Per últim, s'estudia l'impacte de l'escalat de diferents regions.

Castellano: El presente trabajo se desarrolla en torno a la modelización de un transistor bipolar de doble heterounión (DHBT). En concreto, se estudia un dispositivo Tipo-I basado en la utilización de materiales semiconductores III-V como son el InP (fosfuro de indio) e InGaAs (aleación ternaria de indio, galio y arsenio). Para llevar a cabo todas las simulaciones de esta tesis, se ha hecho uso del simulador numérico ATLAS de la compañía SILVACO. Con el objetivo de evaluar la bondad del modelo, se realiza una comparación con valores experimentales y con resultados de simulaciones realizadas con la herramienta TCAD DESSIS de Synopsys del comportamiento en continua del dispositivo. Se analizan los modelos y parámetros de transporte y las propiedades físicas del dispositivo estudiando y discutiendo los modelos disponibles en la literatura y la forma de implementarlos en el simulador. Finalmente, se procede a analizar el nivel de influencia de ciertos factores (parámetros de transporte como la movilidad de portadores ó propiedades físicas como por ejemplo el fenómeno del band gap narrowing) sobre el comportamiento en continua del dispositivo. Por último se estudia el impacto del escalado de diferentes regiones del mismo.

English: A double heterojunction bipolar transistor (DHBT) modeling has been developed in this work. In particular, a Type-I device is studied, which is based on the use of III-V semiconductor materials such as InP (indium phosphide) and InGaAs (ternary alloy of indium, gallium and arsenic). ATLAS numerical simulator from SILVACO company has been used to carry out all simulations in this thesis. In order to evaluate the model accuracy, a comparison is made with experimental data and simulation results from DESSIS TCAD tool from Synopsys. This exercise is focused on DC behavior of the device. Transport model and device physical propierties have been analyzed by means of studying and discussing the available models in the literature and its implementation in the simulator. Finally, relative impact of certain factors (transport parameters such as carrier mobility or physical properties as for instance band gap narrowing) has been analyzed over DC behavior of the device. To conclude, DHBT is vertically scaled with the purpose of studying the influence.