Carbon nanotube growth process-related variablity in CNFET's

Consultar RECERCAT

Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/14489

Títol:	Carbon nanotube growth process-related variablity in CNFET's
Autor/a:	García Almudéver, Carmen; Rubio Sola, Jose Antonio
Altres autors:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions
Abstract:	In silicon bulk CMOS technology the variability of the device parameters is a key drawback that may be a limiting factor for further miniaturizing nodes. Novel nanoscale beyond- CMOS devices are being studied such as carbon nanotubes (CNTs). The goal of this paper is to evaluate the parameter variability in Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNFETs) and their potential capability to be a promising alternative to Si-CMOS technology.
Abstract:	Peer Reviewed
Matèries:	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica -Nanotubes -Nanotechnology -Nanotubs -Optoelectrònica -- Materials -Nanotubs de carboni
Drets:
Tipus de document:	Article - Versió publicada Objecte de conferència
Publicat per:	IEEE Press. Institute of Electrical and Electronics Engineers
Compartir:

García Almudéver, Carmen; Rubio Sola, Jose Antonio

García Almudéver, Carmen; Rubio Sola, Jose Antonio

Rubio Sola, Jose Antonio; García Almudéver, Carmen; Martin, Javier; Crespo, A.; Rodriguez, Rosa; Nafría Maqueda, Montserrat

García Almudéver, Carmen; Rubio Sola, Jose Antonio

Amat Bertran, Esteve; García Almudéver, Carmen; Aymerich Capdevila, Nivard; Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio

Coordinació

Patrocini