Ring oscillator switching noise under NBTI wearout

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Título:	Ring oscillator switching noise under NBTI wearout
Autor/a:	Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio; Ruiz, José María; Morata Cariñena, Marta
Otros autores:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Terrassa Industrial Electronics Group
Abstract:	In this paper the switching noise of a CMOS ring oscillator has been analysed when their pFETs are subjected to negative bias temperature instability (NBTI). The impact of pFET under NBTI has been experimentally quantified whereas CMOS ring oscillator frequency and the switching noise has been analysed by means of electrical full-model simulation. The results show that the impact on the electromagnetic compatibility behaviour increases with NBTI wearout.
Abstract:	Peer Reviewed
Materia(s):	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Electrònica de potència -Electromagnetic interference -Metal oxide semiconductor field-effect transistors -Switching circuits -Metall-òxid-semiconductors -Electromagnetisme
Derechos:
Tipo de documento:	Artículo - Versión presentada Objeto de conferencia
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Fernández García, Raúl; Ruiz, José María; Gil Galí, Ignacio; Morata Cariñena, Marta

Morata Cariñena, Marta; Gil Galí, Ignacio; Fernández García, Raúl

Gil Galí, Ignacio; Morata Cariñena, Marta; Fernández García, Raúl; Rottenberg, Xavier; De Raedt, Walter

Morata Cariñena, Marta; Gil Galí, Ignacio; Fernández García, Raúl

Morata Cariñena, Marta; Gil Galí, Ignacio; Fernández García, Raúl

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