Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/83144
Título: | STT-MRAM cell reliability evaluation under process, voltage and temperature (PVT) variations |
---|---|
Autor/a: | Vatajelu, Elena Ioana; Rodríguez Montañés, Rosa; Indaco, Marco; Prinetto, Paolo; Figueras Pàmies, Joan |
Otros autores: | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat |
Abstract: | |
Materia(s): | -Àrees temàtiques de la UPC::Informàtica -Magnetic memory (Computers) -reliability -process variation -voltage variation -temperature -STT-MRAM cell -statistical analysis -Memòria magnètica (Ordinadors) |
Derechos: | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
Tipo de documento: | Artículo - Versión publicada Objeto de conferencia |
Editor: | Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) |
Compartir: |