III-IV semiconductors offer great potential due to their carrier mobility and direct bandgap, but their integration in Si wafers can be difficult due to lattice mismatch. Nanowire structures can solve this problem thanks to strain relaxation at the interface, as well as enhacing the functional properties of the III-IV semiconductor with respect to the bulk structure. Furthermore, MBE grown nanowires can be tuned in order to achieve quantum confinement, such as quantum wires and quantum dots, inside the nanowire structure, obtainig its consequently optical and electronical p

In the aim to grow vertical self-catalyzed GaAs nanowires on [100] Si, fancy structures with a tapered shape resembling a tree were observed. They were called nanotrees. This is the first time that vertical growth has been achieved without catalyzer in this conditions. Different techniques were used to characterize these structures, such as TEM, Raman spectroscopy, photoluminescence and cathodoluminescence. Additionally, simulations were made to analyze light confinement inside the nanotree. Overall, nanotrees are promising structures for devices, from solar cells to photodiodes.

Con el propósito de crecer nanohilos de arseniuro de galio en silicio [100] sin catalizador se descubrieron unas estructuras con forma triangular que se llamaron nanoárboles. Esta ha sido la primera vez que se ha obtenido un crecimiento vertical en estas condiciones. Diferentes técnicas se han utilizado para caracterizar estas estructuras, como TEM, espectroscopia de Raman, fotoluminiscencia y catodoluminiscencia. Adicionalmente, se hicieron simulaciones para analizar el confinamiento de la luz dentro del nanoárbol. En perspectiva, los nanoárboles son unas estructuras prometedoras para futuros dispositivos, como células solares o fotodiodos.

Amb el propòsit de créixer nanofils d'arsenur de gal·li sobre silici [100] sense catalitzador es van descobrir unes estructures de forma triangular que es van anomenar nanoarbres. Aquest és el primer cop que s'assoleix un creixement vertical en aquestes condicions. Diferents tècniques s'han fet servir per caracteritzar aquestes estructures, com ara TEM, espectroscòpia de Raman, fotoluminescència i catodoluminescència. Addicionalment, es van fer simulacions per analitzar el confinament de la llum als nanoarbres. En perspectiva, els nanoarbres són unes estructures prometedores per a futurs dispositius, com ara cèl·lules solars o fotodíodes.