This work has been done in collaboration with the Micro and Nano-tecnologies departament of the Universitat Politècnica de Catalunya. Its goal has been obtaining a hole transport layer (HTL) using vanadium oxide (V2O5) layers through the ALD (Atomic Layer Deposited) technique for interdigitated Back-Contact "IBC" solar cells. The project has been divided in two blocks, the first one designed to get a low contact resistance, and the second one aimed at finding a good passivation with high lifetime (or J0 with low value) using three schemes of different metallization and applying different annealing. The first scheme is composed of Alumina (Al2O3), V2O5, Indium Tin Oxide (ITO), and silver (Ag); the second of Alumina (Al2O3), V2O5, Indium Tin Oxide (ITO), and aluminium (Al); and the last one of V2O5, nickel (Ni) and Al. Finally, the ITO/Ag and Ni/Al schemes have yielded good results, where a thickness of the vanadium oxide layer, temperature, and annealing time which optimize contact resistance and passivation have been obtained for both studies and metallization schemes. In the ITO/Al scheme the contact resistance results have not been satisfactory.

Este trabajo se ha realizado en colaboración con el departamento de Micro i Nano-tecnologies (MNT) de la Universitat Politècnica de Catalunya. El objetivo ha sido obtener contactos selectivos de huecos (HTL) utilizando capas de óxido de vanadio (V2O5) depositadas mediante la técnica del ALD (Atomic Layer Deposited) para células solares de contactos posteriores interdigitadas "IBC" (Interditated Back-Contact solar cells). El proyecto se divide en dos bloques de estudio, uno para obtener una resistencia de contacto baja y el otro para encontrar una buena pasivación con el tiempo de vida elevado (o J0 con valor bajo) utilizando tres esquemas de metalización diferentes y aplicando diferentes recocidos. El primero está compuesto por alúmina (Al2O3), V2O5, Indium Tin Oxide (ITO) y plata (Ag); el segundo esquema es el mismo que el primero cambiando la plata por aluminio (Al); el último esquema está formado por V2O5, níquel (Ni) y Al. Finalmente se han encontrado buenos resultados en los esquemas con ITO/Ag y Ni/Al, donde se han obtenido para cada estudio y esquema de metalización un grosor de la capa de óxido de vanadio y de temperatura y tiempo de recocido que optimiza la resistencia de contacto y la pasivación. En el esquema ITO/Al las muestras no han salido satisfactorias.

Aquest treball s'ha realitzat amb col·laboració amb el departament de Micro i Nano-tecnologies (MNT) de la Universitat Politècnica de Catalunya. L'objectiu ha estat obtenir contactes selectius de forats (HTL) utilitzant capes dòxid de vanadi (V2O5) depositat mitjançant la tècnica del ALD (Atomic Layer Deposited) per a cèl·lules solars de contactes posteriors interdigitats "IBC" (Interdigitated Back-Contact solar cells). El projecte es divideix en dos blocs d'estudi, un per obtenir una resistència de contacte baixa i l'altre per trobar una bona passivació amb temps de vida elevat (o J0 amb valor baix) utilitzant tres esquemes de metal·lització diferents i aplicant diferents recuits. El primer està compost per alúmina (Al2O3), V2O5, Indium Tin Oxide (ITO) i plata (Ag); el segon esquema és el mateix que el primer canviant la plata per alumini (Al); i l'últim esquema està format per V2O5, níquel (Ni) i Al. Finalment, s'han trobat bons resultats en els esquemes amb ITO/Ag i Ni/Al, on s'ha obtingut per a cada estudi i esquema de metal·lització un gruix de la capa d'òxid de vanadi i la temperatura i temps de recuit que optimitza la resistència de contacte i la passivació. En l'esquema ITO/Al els resultats de resistència de contacte no han sortit satisfactoris.