Improvement of driver to gate coupling circuits for SiC MOSFETS

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Título:	Improvement of driver to gate coupling circuits for SiC MOSFETS
Autor/a:	Balcells Sendra, Josep; Mon González, Juan; Lamich Arocas, Manuel; Laguna, Alberto
Otros autores:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Terrassa Industrial Electronics Group
Abstract:	This work presents a study of the influence of different gate driver circuits on the switching behavior of SiC MOSFET devices used in a buck converter. The paper is based on several tests performed to determine the switching times and switching losses, using different reverse bias VGS voltage levels and different passive RCD (Resistance Capacitor Diode) circuits to interface the driver to the SiC MOSFET gate.
Abstract:	Peer Reviewed
Materia(s):	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica -Electric current converters -Electric currents -Driver circuits -SiC MOSFET -Power Losses -Conducted EMI -DC-DC converters -Convertidors de corrent elèctric -Circuits elèctrics
Derechos:
Tipo de documento:	Artículo - Versión publicada Objeto de conferencia
Editor:	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
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Lamich Arocas, Manuel; Balcells Sendra, Josep; Mon González, Juan; Corbalán Fuertes, Montserrat; Griful Ponsati, Eulàlia

Pérez Robles, Daniel; Balcells Sendra, Josep; Lamich Arocas, Manuel; Berbel Artal, Néstor; Zaragoza Bertomeu, Jordi; Mon González, Juan

Lamich Arocas, Manuel; Balcells Sendra, Josep; Gago Barrio, Javier; González Díez, David; Jaen Fernandez, Carles; Castillo Martínez, Jose Luis

Lamich Arocas, Manuel; Balcells Sendra, Josep; González Díez, David; Gago Barrio, Javier; Jaen Fernandez, Carles; Castillo Martínez, José Luis

Lamich Arocas, Manuel; Balcells Sendra, Josep; Corbalán Fuertes, Montserrat; Sainz Sapera, Luis; Fernandez, Cristian

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