dc.contributor
Jiménez, David
dc.contributor.author
Sureda i Masmartí, Carles
dc.contributor.author
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
dc.contributor.author
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
dc.identifier
https://ddd.uab.cat/record/45730
dc.identifier
urn:oai:ddd.uab.cat:45730
dc.description.abstract
En aquest treball s'implementa un model analític de les característiques DC del MOSFET de doble porta (DG-MOSFET), basat en la solució de l'equació de Poisson i en la teoria de deriva-difussió[1]. El MOSFET de doble porta asimètric presenta una gran flexibilitat en el disseny de la tensió llindar i del corrent OFF. El model analític reprodueix les característiques DC del DG-MOSFET de canal llarg i és la base per construir models circuitals tipus SPICE.
dc.description.abstract
En este trabajo se implementa un modelo analítico de las características DC del MOSFET de doble puerta (DG-MOSFET) basado en la solución de la ecuación de Poisson y en la teoría de deriva-difusión[1]. El MOSFET de doble puerta asimétrico presenta una gran flexibilidad en el diseño de la tensión umbral y de la corriente OFF. El modelo analítico reproduce las características DC del DG-MOSFET de canal largo y es la base para construir modelos circuitales tipo SPICE.
dc.description.abstract
In this work an analytical model of characteristics DC of the double gate MOSFET (DG-MOSFET) based on the solution of the equation of Poisson and on the theory of derive-diffusion[1] is implemented. Double gate MOSFET presents a great flexibility in the design of the threshold voltage and current OFF. The analytical model reproduces characteristics DC of the long channel DG-MOSFET and is the base to construct to SPICE circuit models.
dc.format
application/pdf
dc.relation
Escola d'Enginyeria. Projectes i treballs de final de carrera. Enginyeria Electrònica ;
dc.rights
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
dc.rights
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/
dc.subject
Transistors d'efecte de camp de metall òxid semiconductor
dc.title
Model analític de les característiques DC de transistors de doble porta
dc.type
Treball final de grau
