dc.contributor
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions
dc.contributor
Universitat Politècnica de Catalunya. RSLAB - Grup de Recerca en Teledetecció
dc.contributor
Universitat Politècnica de Catalunya. ANTENNALAB - Grup d'Antenes i Sistemes Radio
dc.contributor.author
Comerón Tejero, Adolfo
dc.contributor.author
Elias Fusté, Antoni
dc.identifier
Comeron, A., Elias, A. Conmutador de microondas con transistor MESFET encapsulado. A: Reunión de la Comisión B (campos y ondas). "URSI 1985: V Reunión Anual de la Comisión B (campos y ondas) del comité español de la Unión Radio Científica Internacional: Granada: 23-24 septiembre, 1985". Granada: 1985, p. 25-29.
dc.identifier
https://hdl.handle.net/2117/85685
dc.description.abstract
A packaged GaAs MESFET has been used to implement a fast switch at frequencies around 12 GHz. The insertion loss in the ON state is approximately 2 dB between 9 and 13 GHz. In the OFF state the insertion loss can be higher than 20 dB at a frequency near 12 GHz that depends slightly on the control voltage. At low power levels and with the proper control voltage the insertion loss can be kept above 10 dB between 10 and 13 GHz.
dc.description.abstract
Peer Reviewed
dc.description.abstract
Postprint (published version)
dc.format
application/pdf
dc.rights
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subject
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica::Circuits de microones, radiofreqüència i ones mil·limètriques
dc.subject
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica
dc.subject
Microwave circuits
dc.subject
Circuits de microones
dc.title
Conmutador de microondas con transistor MESFET encapsulado
dc.type
Conference report
