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Development of laser-fired contacts for amorphous silicon layers obtained by Hot-Wire CVD
Muñoz Ramos, David; Voz Sánchez, Cristóbal; Blanque, S.; Ibarz, D.; Bertomeu i Balagueró, Joan; Alcubilla González, Ramón
Universitat de Barcelona
In this work we study aluminium laser-fired contacts for intrinsic amorphous silicon layers deposited by Hot-Wire CVD. This structure could be used as an alternative low temperature back contact for rear passivated heterojunction solar cells. An infrared Nd:YAG laser (1064 nm) has been used to locally fire the aluminium through the thin amorphous silicon layers. Under optimized laser firing parameters, very low specific contact resistances (ρc ∼ 10 mΩ cm2) have been obtained on 2.8 Ω cm p-type c-Si wafers. This investigation focuses on maintaining the passivation quality of the interface without an excessive increase in the series resistance of the device.
-Deposició química en fase vapor
-Alumini
-Cèl·lules solars
-Làsers
-Corrosió i anticorrosius
-Semiconductors
-Chemical vapor deposition
-Aluminum
-Solar cells
-Lasers
-Corrosion and anti-corrosives
-Semiconductors
(c) Elsevier B.V., 2009
Artículo
Artículo - Versión aceptada
Elsevier B.V.
         

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