Direct extraction of all four transistor noise parameters from 50 noise figure measurements

Consultar RECERCAT

Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/86306

Títol:	Direct extraction of all four transistor noise parameters from 50 noise figure measurements
Autor/a:	Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; Beltrán, A; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Altres autors:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones
Abstract:	A new method for measuring the four noise parameters (NPs) of a transistor is presented. It is based on the determination of its intrinsic noise matrix elements (C, ,INT, C,,7NT, Re(C,,
Abstract:	Peer Reviewed
Matèries:	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica -Electronics -Electrònica
Drets:
Tipus de document:	Article - Versió publicada Article
Publicat per:	Institution of Electrical Engineers
Compartir:

Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; Beltrán, A.; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel

Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel

Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel

Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel; Pérez Pueyo, Rosanna; Soneira Ferrando, M. José

Pradell i Cara, Lluís; Fauna, G; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel; Lázaro Guillén, Antoni

Coordinació

Patrocini