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Estudio de la reaccion de sulfurizacion de precursores Cu/In para la formacion de capas delgadas policristalinas de CuInS2 para celulas solares
Barcones Campo, Beatriz; Álvarez García, Jacobo; Calvo-Barrio, L.; Pérez Rodríguez, Alejandro; Romano Rodríguez, Alberto; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Scheer, R.; Klenk, R.; Pietzker, Ch.
Universitat de Barcelona
En este trabajo se presenta un estudio detallado de los procesos implicados en la sulfurización de capas metálicas de Cu-In para la fabricación de células solares de CuInS2. Con este objeto, se ha desarrollado un experimento de sulfurización parcial de las capas, que han sido sometidas posteriormente a un tratamiento de selenización. El estudio de estas estructuras mediante Espectroscopía Raman y Espectroscopía de Electrones Auger (AES) ha permitido conocer algunos de los detalles de la reacción química, en concreto la identificación del frente de crecimiento de la reacción de sulfurización. Paralelamente, se ha desarrollado un sistema experimental que ha hecho posible investigar in-situ la reacción de sulfurización por Espectroscopía Raman, lo cual ha permitido un seguimiento preciso de la evolución estructural del material durante el proceso. Los resultados experimentales demuestran que la reacción de sulfurización se inicia en la superficie de la capa, dando lugar a la formación de CuInS2, coexistiendo dos estructuras cristalinas polimórficas (calcopirita y orden catiónico CuAu). Posteriormente la reacción química continúa asistida por la difusión de los metales hacia la superficie, que reaccionan con la atmósfera de azufre, de forma simultánea se produce una transformación de la fase CuAu del compuesto en la estructura calcopirita.
25-09-2012
-Ciència dels materials
-Física de l'estat sòlid
-Sulfonació
-Materials science
-Solid state physics
-Sulphonation
cc-by-nc (c) Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC). Sociedad Española d, 2004
http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0/es
Artículo
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Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
         

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