1. Inicio
  2. Universitat Autònoma de Barcelona
  3. Articles escrits per personal UAB o publicats per la universitat
  4. Ver ítem

Multilevel recording in Bi-deficient Pt/BFO/SRO heterostructures based on ferroelectric resistive switching targeting high-density information storage in nonvolatile memories

Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: https://ddd.uab.cat/record/115883

Autor/a

Jiménez Jiménez, David

Suñé, Jordi,

Miranda, Enrique

Tsurumaki-Fukuchi, Atsushi

Yamada, Hiroyuki

Sawa, Akihito

American Institute of Physics

Fecha de publicación

2013

Compartir

Resumen

We demonstrate the feasibility of multilevel recording in Pt/Bi1-δFeO3/SrRuO3 capacitors using the ferroelectric resistive switching phenomenon exhibited by the Pt/Bi1-δFeO3 interface. A tunable population of up and down ferroelectric domains able to modulate the Schottky barrier height at the Pt/Bi1-δFeO3 interface can be achieved by means of either a collection of SET/RESET voltages or current compliances. This programming scheme gives rise to well defined resistance states, which form the basis for a multilevel storage nonvolatile memory.

Tipo de documento

Article

Lengua

Inglés

Materias y palabras clave

Ferroelectric elements; Fixed capacitors; Static stores

Publicado por

 

Documentos relacionados

Applied physics letters ; Vol. 103, Issue 26 (December 2013), p. 263502/1-263502/4

Exportar

DIDL MARC MARC_CCUC METS OAI_DC ORE QDC RDF

Derechos

open access

Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.

https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/

Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

Articles escrits per personal UAB o publicats per la universitat [88071]