Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/21907
Título: | Impact of finfet and III-V/Ge technology on logic and memory cell behavior |
---|---|
Autor/a: | Amat Bertran, Esteve; Calomarde Palomino, Antonio; García Almudéver, Carmen; Aymerich Capdevila, Nivard; Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio |
Otros autores: | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Arquitectura de Computadors; Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions; Universitat Politècnica de Catalunya. ARCO - Microarquitectura i Compiladors |
Abstract: | |
Abstract: | |
Materia(s): | -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica::Circuits integrats -Integrated circuits -DRAM -III–V semiconductor materials -Integrated circuit reliability -Ring oscillators -Circuits integrats |
Derechos: | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
Tipo de documento: | Artículo - Versión publicada Artículo |
Compartir: |