Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/113578
Títol: | Suitability of FinFET introduction into eDRAM cells for operate at sub-threshold level |
---|---|
Autor/a: | Amat, Esteve; Calomarde Palomino, Antonio; Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio |
Altres autors: | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria de Sistemes, Automàtica i Informàtica Industrial; Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Arquitectura de Computadors; Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions; Universitat Politècnica de Catalunya. ARCO - Microarquitectura i Compiladors |
Abstract: | |
Abstract: | |
Matèries: | -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica -Electronics -FinFET -eDRAM -sub-VT -single event upsets -variability -reliability. -Enginyeria electrònica |
Drets: | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
Tipus de document: | Article - Versió presentada Objecte de conferència |
Publicat per: | Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) |
Compartir: |