Universitat Politècnica de Catalunya
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions
Universitat Politècnica de Catalunya. RSLAB - Grup de Recerca en Teledetecció
Universitat Politècnica de Catalunya. ANTENNALAB - Grup d'Antenes i Sistemes Radio
1985
A packaged GaAs MESFET has been used to implement a fast switch at frequencies around 12 GHz. The insertion loss in the ON state is approximately 2 dB between 9 and 13 GHz. In the OFF state the insertion loss can be higher than 20 dB at a frequency near 12 GHz that depends slightly on the control voltage. At low power levels and with the proper control voltage the insertion loss can be kept above 10 dB between 10 and 13 GHz.
Peer Reviewed
Postprint (published version)
Conference report
Castellano
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica::Circuits de microones, radiofreqüència i ones mil·limètriques; Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica; Microwaves; Microwave circuits; Microones; Circuits de microones
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
Open Access
E-prints [72232]
