The role of hydrogen in the formation of microcrystalline silicon

Data de publicació

2016-05-23T13:50:00Z

2016-05-23T13:50:00Z

2000

2016-05-11T16:58:30Z

Resum

The growth mechanisms of microcrystalline silicon thin films at low temperatures (100-250°C) by plasma CVD are still a matter of debate. We have shown that ue-Si:H formation proceeds through four phases (incubation, nucleation, growth and steady state) and that hydrogen plays a key role in this process, particularly during the incubation phase in which hydrogen modifies the amorphous silicon network and forms a highly porous phase where nucleation takes place. In this study we combine in-situ ellipsometry and dark conductivity measurements with ex-situ high resolution transmission electron microscopy to improve our understanding of microcrystalline silicon formation.

Tipus de document

Article


Versió acceptada

Llengua

Anglès

Publicat per

Elsevier B.V.

Documents relacionats

Versió postprint del document publicat a: http://dx.doi.org/10.1016/S0921-5107(99)00324-4

Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology, 2000, vol. 69-70, p. 559-563

http://dx.doi.org/10.1016/S0921-5107(99)00324-4

Citació recomanada

Aquesta citació s'ha generat automàticament.

Drets

(c) Elsevier B.V., 2000

Aquest element apareix en la col·lecció o col·leccions següent(s)