Non-homogeneuos conduction of conductive filaments in Ni/HfO2/Si resistive switching structures observed with CAFM

Autor/a

Claramunt, Sergi

Wu, Qian

Maestro Izquierdo, Marcos

Porti i Pujal, Marc

Bargallo Gonzalez, Mireia

Martin Martinez, Javier

Campabadal, Francesca

Nafría i Maqueda, Montserrat

Data de publicació

2015

Resum

Altres ajuts: ERDF/TEC2011-2792-C02-02


Conductive filaments (CFs) in Ni/HfO₂/Si resistive switching structures are analysed at the nanoscale by means of Conductive Atomic Force Microscopy (CAFM). Differences in the CF conductivity are measured depending on the resistive state of the device. Moreover, for both resistance states, non-homogeneous conduction across the CF area is observed, in agreement with a tree-shaped CF.

Tipus de document

Article

Llengua

Anglès

Matèries i paraules clau

Resistive switching; CAFM; Metal-insulator-semiconductor (MIS)

Publicat per

 

Documents relacionats

Ministerio de Economía y Competitividad TEC2013-45638-C3-1-R

Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-384

Microelectronic engineering ; Vol. 147 (November 2015), p. 335-338

Drets

open access

Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.

https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/

Aquest element apareix en la col·lecció o col·leccions següent(s)